“这是你们设计的方案？”
王中军将手里的文件翻的哗哗作响，边看边忍不住皱起了眉头来。
“用腐蚀剂的各向同性来制作探针，你们考虑过这里面的工作量吗？”
“使用可控制侵蚀速度的硝酸和氢氟酸，我们计算过可能的配比，至少要做上千组实验。”
钟大华的声音没有多少波动，昨晚吴牧提出这个思路之后，他们俩就已经通过代理公司搜集了相关的信息，但情况却有些出人意料。
在美国的数据库里，并没有与这个思路相关的技术。
事实上从八十年代起，湿法蚀刻在美国就已经属于落后技术了。随着制程技术的提高，现在业界主流已经是干法蚀刻更胜一筹，因为干法蚀刻的各向异性更好，芯片的成品率自然更高。
也就是说在湿法蚀刻这个路线上，业界并没有走到尽头就更换了路线。
美国人技术比较先进，八十年代之后制程技术发展到微米级，为了克服湿法蚀刻的缺点，应用材料公司直接推出了干法蚀刻的PVD技术，干脆另开炉灶了！干法蚀刻是用等离子体直接撞击晶圆，从化学反应变成了物理反应，干脆没有各向同性的问题了。
当然，后来干法蚀刻的物理性蚀刻也不能满足需求，于是业界又把湿法蚀刻捡回来了。但那也是利用离子蚀刻机将化学腐蚀剂离子化之后，在PECVD基础上搞的湿法蚀刻。
各向异性的问题，早在八十年代美国人就解决了。
如今钟大华和吴牧想要走回头路，其实是挑了一条充满荆棘的小路在走。
想要参考、借鉴，可根本就没有先例可循。这样一来，难免让人有些心理打鼓了。
不过钟大华脸上根本看不出怀疑和忐忑，面对上千组实验需要的工作量，仿佛就像在说下班去哪里买菜一样。
“上千组实验？我看可不够！”
王中军摇了摇头，哼了一声：“这是你们计算配比和时间控制需要的实验数量，但是你想过没有，我们要的不是一根普通的针尖，而是一根50纳米宽的针尖！除了时间、配比以外，甚至一丁点微弱的空气流动，都能让你的实验结果出现偏差。除此之外，温度、湿度、空气杂质，这些还是能想到的干扰，真正做实验的时候，你会发现更多想都没想过的干扰源会出现……这些都必须一一排除，一千组实验你能保证出结果吗？”
“我保证……不了。”
钟大华的声音仍然没有起伏，冷静的说道：“但硅探针本来就没有先例，甚至是原子力显微镜探针，我们自己都还不能生产。可这个项目只给了我们两个月时间，根本没有按部就班实现的可能。”
“说实话，我认为吴牧这个思路简直是为我们量身定做。湿法蚀刻做探针虽然没有成熟技术可以借鉴，但各种腐蚀剂的性能数据还是很丰富的。这个思路最大的优势，就是不需要过往的基础，非常适合技术跳跃式发展。不管是亚微米还是微纳米，50纳米甚至是10纳米，甚至有一天1纳米的探针，只需要加大投入就一定能摸索出实现的参数。”
“我承认我们有赌的成分。”
“这个路线成功了，我们可以抛开当前的技术路线，走一条完全不同的纳米光栅制造体系。”
“它确实没有人实现过，但我们讲科学，它从理论上有成功的可能。”
“而且这种可能，也只有我们新科能够实现。”
“哦，这怎么说？”王中军其实对这个思路还是满意的，确实很难，但有实现的可能。
但要说只有新科能实现，这又凭什么啊？凭胡文海长得帅吗？
“这方面我是有依据的。”
钟大华说的信誓旦旦，王中军明显兴趣更大了。
“在搜索相关文献的时候，我们发现了一个情况。实际上和美国数据库比起来，方案中需要的数据反而更多来自研究院的数据中心。”
“各种腐蚀液配比的研究资料，近十年来反而是我们自己的研究院数据库更多。”
“其实这并不难理解，因为我们知道，现在集成电路的制程已经进入了亚微米级，湿法蚀刻早就已经不适应需求了。但在功率半导体上，制程却并不是越小越好。事实上IGCT的制程基本都在3微米以上，IGBT的制程也是在1到3微米之间。”
“在业界普遍升级干法蚀刻之后，新科作为功率半导体的主要生产商，实际上仍然在大量的采用湿法蚀刻，并且持续多年在湿法蚀刻技术上投资改进升级。”
“由此积累下来的生产和实验资料，早就已经超出了国际先进水平。”
钟大华和王中军并不知道，这就是胡文海带来的超前规划红利了。
IGBT是功率半导体，制程上不仅是不需要跟随数字半导体的制程，甚至更小的制程对性能并不更友好。后世半导体制程都进入10纳米以内了，很多IGBT的制程仍然只有0.5微米，这你敢信？
而后世中国的半导体产业，同样仍然有湿法蚀刻的一席之地。因为市场上绝大多数的芯片，实际上并不需要最先进的制程。像绝大多数低成本IC、分立器件和微电子机械设备，仍然还是采用湿法蚀刻的。
湿法刻蚀虽然做不了精细活，但自己也是有优点的。比如说特定的腐蚀剂可以起到专门腐蚀某种材料的作用，只腐蚀材料而不伤害光刻胶、不伤害下层已经形成的结构，这种选择性刻蚀的特性，让它在粗制程下安全性更好，确保不会损伤衬底。
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